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單晶爐單晶等徑生長的控制策略

[2014/7/30]

      單晶棒等徑控制是單晶爐控制的重點(diǎn)。單晶直徑在生長過程中課受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速、生長物理環(huán)境、保護(hù)氣體的流速與溫度、冷卻水流的流速與溫度等因素的影響。歸納起來,無外乎是熱場波動和生長速度變化兩大類。因此,爐內(nèi)熱場設(shè)置,生長溫度補(bǔ)償、速度等參數(shù)選配是控制單晶外形的基本條件,爐內(nèi)熱場和生長速度的精確控制是單晶等徑控制的重點(diǎn)。由于影響單晶等徑生長的因素較多,控制對象數(shù)學(xué)模型難以建立,且這些因素本身以及它們之間的關(guān)系是模糊的、不確定的。系統(tǒng)具有非線性、時(shí)變性和大慣性的特征。因而,單晶爐單晶等徑生長控制采用模糊控制策略是比較合適的。

    單晶等徑生長在忽略一些干擾因素影響情況下,主要受溫度和拉速影響。如果恒定溫度而僅從生長速度控制直徑,外形固然可以得到快速保證,但生長速度的大幅度調(diào)節(jié)會造成單晶微觀質(zhì)量缺陷。反之,如果恒定速度而僅從溫度調(diào)節(jié)來控制直徑,由于這種控制系統(tǒng)是一個(gè)緩慢時(shí)變,并且具有確定性擾動和隨機(jī)干擾的非最小相位系統(tǒng),用一般常規(guī)儀表控制手段來實(shí)現(xiàn)自動控徑極為困難。只有對溫度和生長速度進(jìn)行綜合控制,才能完成等徑自動控制。

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